Name: BSM600D12P4G103
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-BSM600D12P4G103-ND
Price: 29628.4109 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSM600D12P4G103
Číslo produktu DigiKey	846-BSM600D12P4G103-ND
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	BSM600D12P4G103
Popis	MOSFET 2N-CH 1200V 567A MODULE
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 567A (Tc) 1,78kŠ (Tc) Montáž na šasi Modul
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Krabice
Stav součásti	Aktivní
Technologie	Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	567A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	-
Vgs(th) (max) při Id	4,8V při 291,2mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	-
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	59000pF při 10V
Výkon - max	1,78kŠ (Tc)
Provozní teplota	175°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na šasi
Pouzdro	Modul
Dodávaná velikost pouzdra	Modul
Základní číslo produktu	BSM600