N-kanál 30 V 24,7A (Ta), 67,4A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8SH
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SISH536DN-T1-GE3

Číslo produktu DigiKey
742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR)
742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT)
742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SISH536DN-T1-GE3
Popis
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Standardní dodací lhůta výrobce
55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 30 V 24,7A (Ta), 67,4A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8SH
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
TrenchFET® Gen V
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
24,7A (Ta), 67,4A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
3,25mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max)
+16V, -12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1150 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
3,57W (Ta), 26,5W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PowerPAK® 1212-8SH
Pouzdro
PowerPAK® 1212-8SH
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Zkontrolovat dodací lhůtu
Požádat o sdělení stavu zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
123,10000 Kč23,10 Kč
1014,42600 Kč144,26 Kč
1009,42180 Kč942,18 Kč
5007,26908 Kč3 634,54 Kč
1 0006,57573 Kč6 575,73 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
3 0005,69459 Kč17 083,77 Kč
6 0005,25094 Kč31 505,64 Kč
9 0005,02489 Kč45 224,01 Kč
15 0004,77093 Kč71 563,95 Kč
21 0004,62059 Kč97 032,39 Kč
30 0004,47448 Kč134 234,40 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:23,10000 Kč
Jednotková cena s DPH:27,95100 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
7 Položky
LTC4365ITS8#TRMPBF

LTC4365ITS8#TRMPBF

IC OVERVOLTAGE PROT TSOT23-8

Analog Devices Inc.

116,12000 Kč
NTMFS4D2N10MDT1G

NTMFS4D2N10MDT1G

N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE

onsemi

74,96000 Kč
SISHA06DN-T1-GE3

SISHA06DN-T1-GE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

Vishay Siliconix

34,86000 Kč
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

27,09000 Kč
NTMFS005P03P8ZT1G

NTMFS005P03P8ZT1G

MOSFET P-CH

onsemi

47,25000 Kč
SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Vishay Siliconix

48,09000 Kč
SISS54DN-T1-GE3

SISS54DN-T1-GE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

Vishay Siliconix

51,66000 Kč