Name: SISH536DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND
Price: 27.7574 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SISH536DN-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SISH536DN-T1-GE3
Popis	N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Standardní dodací lhůta výrobce	55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 24,7A (Ta), 67,4A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8SH
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 3,25mOhm při 10A, 10V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 2,2V při 250µA
Řada TrenchFET® Gen V	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 25 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +16V, -12V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1150 pF @ 15 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 24,7A (Ta), 67,4A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® 1212-8SH
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro PowerPAK® 1212-8SH

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 0

Zkontrolovat dodací lhůtu

Požádat o sdělení stavu zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)