SISS5808DN-T1-GE3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SISS54DN-T1-GE3

Číslo produktu DigiKey
742-SISS54DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR)
742-SISS54DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT)
742-SISS54DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SISS54DN-T1-GE3
Popis
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Standardní dodací lhůta výrobce
27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 30 V 51,1A (Ta), 185,6A (Tc) 5W (Ta), 65,7W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8S
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
TrenchFET® Gen V
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
51,1A (Ta), 185,6A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,06mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (max)
+16V, -12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3450 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
5W (Ta), 65,7W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PowerPAK® 1212-8S
Pouzdro
PowerPAK® 1212-8S
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 5 933
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
148,20000 Kč48,20 Kč
1030,98600 Kč309,86 Kč
10021,08370 Kč2 108,37 Kč
50016,84842 Kč8 424,21 Kč
1 00016,34490 Kč16 344,90 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
3 00013,75807 Kč41 274,21 Kč
6 00013,35359 Kč80 121,54 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:48,20000 Kč
Jednotková cena s DPH:58,32200 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
8 Položky
SISH536DN-T1-GE3

SISH536DN-T1-GE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

Vishay Siliconix

18,95000 Kč
SMAJ13A

SMAJ13A

TVS DIODE 13VWM 21.5VC DO214AC

Littelfuse Inc.

4,84000 Kč
BAT54-02V-HG3-08

BAT54-02V-HG3-08

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,21000 Kč
RV-3032-C7-32.768KHZ-2.5PPM-TA-QC

RV-3032-C7-32.768KHZ-2.5PPM-TA-QC

IC RTC TEMPERAT CLK/CAL I2C 8SON

Micro Crystal AG

66,94000 Kč
TCM1-63AX+

TCM1-63AX+

1:1 CORE & WIRE TRANSFORMER, 10

Mini-Circuits

393,00000 Kč
ST3232ECDR

ST3232ECDR

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO

STMicroelectronics

32,42000 Kč
MMBT5551-7-F

MMBT5551-7-F

TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3

Diodes Incorporated

3,79000 Kč
MMBTA92-7-F

MMBTA92-7-F

TRANS PNP 300V 0.5A SOT-23-3

Diodes Incorporated

4,00000 Kč