N-kanál 30 V 28,1A (Ta), 104A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8SH
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SISHA06DN-T1-GE3

Číslo produktu DigiKey
742-SISHA06DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR)
742-SISHA06DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT)
742-SISHA06DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SISHA06DN-T1-GE3
Popis
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Standardní dodací lhůta výrobce
55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 30 V 28,1A (Ta), 104A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8SH
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
TrenchFET®
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
28,1A (Ta), 104A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
3mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3932 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
3,7W (Ta), 52W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PowerPAK® 1212-8SH
Pouzdro
PowerPAK® 1212-8SH
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 6 000
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
132,55000 Kč32,55 Kč
1020,59900 Kč205,99 Kč
10013,72430 Kč1 372,43 Kč
50010,77786 Kč5 388,93 Kč
1 0009,82916 Kč9 829,16 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
3 0008,62486 Kč25 874,58 Kč
6 0008,01868 Kč48 112,08 Kč
9 0007,75615 Kč69 805,35 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:32,55000 Kč
Jednotková cena s DPH:39,38550 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
2 Položky
SISH536DN-T1-GE3

SISH536DN-T1-GE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

Vishay Siliconix

21,63000 Kč
BSZ034N04LSATMA1

BSZ034N04LSATMA1

MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON

Infineon Technologies

31,08000 Kč