Name: SIRA00DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA00DP-T1-GE3TR-ND
Price: 79.2671 CZK
Availability: OutOfStock

SIRA00DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIRA00DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIRA00DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIRA00DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIRA00DP-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 100A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIRA00DP-T1-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	220 nC @ 10 V
Vgs (max)	+20V, -16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	11700 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	6,25W (Ta), 104W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SIRA00

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
3 000	19,53157 Kč	58 594,71 Kč
6 000	18,48349 Kč	110 900,94 Kč

Jednotková cena bez DPH:	65,51000 Kč
Jednotková cena s DPH:	79,26710 Kč

SIRA00DP-T1-GE3