Name: RS1E280BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E280BNTBTR-ND
Price: 30.492 CZK
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

RS1E280BNTB
cms-digikey-product-number	RS1E280BNTBTR-ND - Páska a cívka (TR) RS1E280BNTBCT-ND - Řezaná páska (CT) RS1E280BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Rohm Semiconductor
cms-manufacturer-product-number	RS1E280BNTB
cms-description	MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
cms-standard-lead-time	21 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 30 V 28A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 30W (Tc) Montáž na povrch 8-HSOP
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	RS1E280BNTB Modely

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	28A (Ta), 80A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,3mOhm při 28A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	94 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5100 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3W (Ta), 30W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-HSOP
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	RS1E