Name: RQ3E180AJTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E180AJTBTR-ND
Price: 42.592 CZK
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

RQ3E180AJTB
cms-digikey-product-number	RQ3E180AJTBTR-ND - Páska a cívka (TR) RQ3E180AJTBCT-ND - Řezaná páska (CT) RQ3E180AJTBDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Rohm Semiconductor
cms-manufacturer-product-number	RQ3E180AJTB
cms-description	MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
cms-standard-lead-time	21 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 30 V 18A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Montáž na povrch 8-HSMT (3,2x3)
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	RQ3E180AJTB Modely

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	18A (Ta), 30A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	2,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,5mOhm při 18A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,5V při 11mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	39 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4290 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2W (Ta), 30W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-HSMT (3,2x3)
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	RQ3E180