Name: RS3E095BNGZETB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS3E095BNGZETBTR-ND
Price: 34.2793 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RS3E095BNGZETB
Číslo produktu DigiKey	RS3E095BNGZETBTR-ND - Páska a cívka (TR) RS3E095BNGZETBCT-ND - Řezaná páska (CT) RS3E095BNGZETBDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RS3E095BNGZETB
Popis	MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Standardní dodací lhůta výrobce	21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 9,5A (Ta) 2W (Tc) Montáž na povrch 8-SOP
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RS3E095BNGZETB Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	9,5A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	14,6mOhm při 9,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	8.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	680 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOP
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Základní číslo produktu	RS3E