Name: SIHG24N65E-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG24N65E-E3-ND
Price: 70.71489 CZK
Availability: OutOfStock

SIHG24N65E-E3
Číslo produktu DigiKey	SIHG24N65E-E3-ND
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIHG24N65E-E3
Popis	MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Průchozí otvor TO-247AC
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	24A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	145mOhm při 12A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	122 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2740 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	250W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247AC
Pouzdro	TO-247-3
Základní číslo produktu	SIHG24

Jednotková cena bez DPH:	58,44206 Kč
Jednotková cena s DPH:	70,71489 Kč

SIHG24N65E-E3