
FCH150N65F-F155 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | FCH150N65F-F155-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | FCH150N65F-F155 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 24A TO247 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 24A (Tc) 298W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | FCH150N65F-F155 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 5V při 2,4mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 94 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3737 pF @ 100 V |
Stav součásti Zastaralé | Rozptylový výkon (Max) 298W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-247-3 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 150mOhm při 12A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| NTHL110N65S3F | onsemi | 668 | NTHL110N65S3FOS-ND | 188,56000 Kč | MFR Recommended |
| IPW60R165CPFKSA1 | Infineon Technologies | 270 | IPW60R165CPFKSA1-ND | 142,37000 Kč | Similar |
| SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | 282 | SCT3120ALGC11-ND | 223,63000 Kč | Similar |
| SIHG24N65E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG24N65E-E3-ND | 71,14122 Kč | Similar |
| STW24N60M2 | STMicroelectronics | 596 | 497-13594-5-ND | 78,74000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 172,81000 Kč | 172,81 Kč |
| 30 | 100,13233 Kč | 3 003,97 Kč |
| 120 | 84,17400 Kč | 10 100,88 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 172,81000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 209,10010 Kč |

