Parametrický ekvivalent
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar



IPW65R150CFDFKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IPW65R150CFDFKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPW65R150CFDFKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 900µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 86 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2340 pF @ 100 V |
Stav součásti Zastaralé | Rozptylový výkon (Max) 195,3W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO247-3 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 150mOhm při 9,3A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R150CFDFKSA2 | Infineon Technologies | 210 | 448-IPW65R150CFDFKSA2-ND | 124,31000 Kč | Parametrický ekvivalent |
| IXFH36N60P | IXYS | 510 | IXFH36N60P-ND | 334,50000 Kč | Similar |
| SIHG24N65E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG24N65E-E3-ND | 71,14122 Kč | Similar |
| STW26N60M2 | STMicroelectronics | 309 | STW26N60M2-ND | 92,81000 Kč | Similar |
| STW27N60M2-EP | STMicroelectronics | 582 | 497-16490-5-ND | 90,50000 Kč | Similar |








