
STW26N60M2 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | STW26N60M2-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | STW26N60M2 |
Popis | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 20 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 600 V 20A (Tc) 169W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | STW26N60M2 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 34 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±25V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1360 pF @ 100 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 169W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-247-3 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 165mOhm při 10A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| R6022YNZ4C13 | Rohm Semiconductor | 587 | 846-R6022YNZ4C13-ND | 156,86000 Kč | Similar |
| SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | 282 | SCT3120ALGC11-ND | 223,63000 Kč | Similar |
| SIHG24N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 378 | 742-SIHG24N65E-GE3-ND | 152,24000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 92,81000 Kč | 92,81 Kč |
| 10 | 61,08300 Kč | 610,83 Kč |
| 100 | 43,02070 Kč | 4 302,07 Kč |
| 600 | 34,61695 Kč | 20 770,17 Kč |
| 1 200 | 32,25170 Kč | 38 702,04 Kč |
| 2 400 | 30,26380 Kč | 72 633,12 Kč |
| 5 400 | 29,73052 Kč | 160 544,81 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 92,81000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 112,30010 Kč |

