Name: TPH1R306P1,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH1R306P1L1QTR-ND
Price: 70.3252 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TPH1R306P1,L1Q
Číslo produktu DigiKey	264-TPH1R306P1L1QTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TPH1R306P1L1QCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TPH1R306P1L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TPH1R306P1,L1Q
Popis	MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 100A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montáž na povrch 8-SOP rozšířený (5x5)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TPH1R306P1,L1Q Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSIX-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,28mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	91 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	8100 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Provozní teplota	175°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOP rozšířený (5x5)
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	TPH1R306