Name: TPH1R306PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH1R306PLL1QTR-ND
Price: 76.472 CZK
Availability: InStock

TPH1R306PL,L1Q
Číslo produktu DigiKey	264-TPH1R306PLL1QTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TPH1R306PLL1QCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TPH1R306PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TPH1R306PL,L1Q
Popis	MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 100A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montáž na povrch 8-SOP rozšířený (5x5)
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSIX-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,34mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	91 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	8100 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Provozní teplota	175°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOP rozšířený (5x5)
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	TPH1R306

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
5 000	17,88244 Kč	89 412,20 Kč
10 000	17,61207 Kč	176 120,70 Kč

Jednotková cena bez DPH:	63,20000 Kč
Jednotková cena s DPH:	76,47200 Kč

TPH1R306PL,L1Q