Name: TPH2R506PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH2R506PLL1QTR-ND
Price: 59.2053 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TPH2R506PL,L1Q
Číslo produktu DigiKey	TPH2R506PLL1QTR-ND - Páska a cívka (TR) TPH2R506PLL1QCT-ND - Řezaná páska (CT) TPH2R506PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TPH2R506PL,L1Q
Popis	MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 100A (Tc) 132W (Tc) Montáž na povrch 8-SOP rozšířený (5x5)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TPH2R506PL,L1Q Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 500µA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 60 nC @ 10 V
Řada U-MOSIX-H	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5435 pF @ 30 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 132W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOP rozšířený (5x5)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 100A (Tc)	Pouzdro 8-PowerVDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu TPH2R506
Rds zap (max) při Id, Vgs 4,4mOhm při 30A, 4,5V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 31 170

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®