Name: TPH2R506PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH2R506PLL1QTR-ND
Price: 53.3731 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

TPH2R506PL,L1Q
Číslo produktu DigiKey	TPH2R506PLL1QTR-ND - Páska a cívka (TR) TPH2R506PLL1QCT-ND - Řezaná páska (CT) TPH2R506PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TPH2R506PL,L1Q
Popis	MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 100A (Tc) 132W (Tc) Montáž na povrch 8-SOP rozšířený (5x5)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TPH2R506PL,L1Q Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSIX-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,4mOhm při 30A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 500µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5435 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	132W (Tc)
Provozní teplota	175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOP rozšířený (5x5)
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	TPH2R506

Jednotková cena bez DPH:	44,11000 Kč
Jednotková cena s DPH:	53,37310 Kč

TPH2R506PL,L1Q