Name: TPW1R306PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPW1R306PLL1QTR-ND
Price: 98.6755 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TPW1R306PL,L1Q
Číslo produktu DigiKey	TPW1R306PLL1QTR-ND - Páska a cívka (TR) TPW1R306PLL1QCT-ND - Řezaná páska (CT) TPW1R306PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TPW1R306PL,L1Q
Popis	MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 260A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montáž na povrch 8-DSOP, pokročilý
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TPW1R306PL,L1Q Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1mA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 91 nC @ 10 V
Řada U-MOSIX-H	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 8100 pF @ 30 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota 175°C
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-DSOP, pokročilý
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 260A (Tc)	Pouzdro 8-PowerVDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu TPW1R306
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,29mOhm při 50A, 10V