Name: TPW1R306PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPW1R306PLL1QTR-ND
Price: 92.9885 CZK
Availability: OutOfStock

TPW1R306PL,L1Q
Číslo produktu DigiKey	TPW1R306PLL1QTR-ND - Páska a cívka (TR) TPW1R306PLL1QCT-ND - Řezaná páska (CT) TPW1R306PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TPW1R306PL,L1Q
Popis	MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 260A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montáž na povrch 8-DSOP, pokročilý
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TPW1R306PL,L1Q Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSIX-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	260A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,29mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	91 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	8100 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Provozní teplota	175°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-DSOP, pokročilý
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	TPW1R306

Jednotková cena bez DPH:	76,85000 Kč
Jednotková cena s DPH:	92,98850 Kč

TPW1R306PL,L1Q