Name: DMHC3025LSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMHC3025LSD-13DITR-ND
Price: 37.8609 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMHC3025LSD-13
Číslo produktu DigiKey	DMHC3025LSD-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMHC3025LSD-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMHC3025LSD-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMHC3025LSD-13
Popis	MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 6A, 4,2A 1,5W (Ta) Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMHC3025LSD-13 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA
Výrobce Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 1,5W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace Kanál 2 N a 2 P (plný můstek)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SO
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 6A, 4,2A	Základní číslo produktu DMHC3025
Rds zap (max) při Id, Vgs 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V