Name: ZXMHC3F381N8TC
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMHC3F381N8DITR-ND
Price: 41.1642 CZK
Availability: InStock

ZXMHC3F381N8TC
Číslo produktu DigiKey	ZXMHC3F381N8DITR-ND - Páska a cívka (TR) ZXMHC3F381N8DICT-ND - Řezaná páska (CT) ZXMHC3F381N8DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	ZXMHC3F381N8TC
Popis	MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 3,98A, 3,36A 870mW Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	ZXMHC3F381N8TC Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	Kanál 2 N a 2 P (plný můstek)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,98A, 3,36A
Rds zap (max) při Id, Vgs	33mOhm při 5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	9nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	430pF při 15V, 670pF při 15V
Výkon - max	870mW
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SO
Základní číslo produktu	ZXMHC3F381

Jednotková cena bez DPH:	34,02000 Kč
Jednotková cena s DPH:	41,16420 Kč

ZXMHC3F381N8TC