
GCMX003A120S3B1-N | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 1560-GCMX003A120S3B1-N-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | GCMX003A120S3B1-N |
Popis | 1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE |
Standardní dodací lhůta výrobce | 22 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 625A (Tc) 2113W (Tc) Montáž na šasi |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Rds zap (max) při Id, Vgs 5,5mOhm při 300A, 20V |
Výrobce SemiQ | Vgs(th) (max) při Id 4V při 120mA |
Řada | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 1408nC při 20V |
Balení Krabice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 41400pF při 800V |
Stav součásti Aktivní | Výkon - max 2113W (Tc) |
Technologie Karbid křemíku (SiC) | Provozní teplota -40°C ~ 175°C (TJ) |
Konfigurace 2 N-kanál (polomůstkový) | Způsob montáže Montáž na šasi |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200V (1,2kV) | Pouzdro Modul |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 625A (Tc) |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 5 337,34000 Kč | 5 337,34 Kč |
| 15 | 4 806,08067 Kč | 72 091,21 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 5 337,34000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 6 458,18140 Kč |











