Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 625A (Tc) 2113W (Tc) Montáž na šasi
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GCMX003A120S3B1-N

Číslo produktu DigiKey
1560-GCMX003A120S3B1-N-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
GCMX003A120S3B1-N
Popis
1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE
Standardní dodací lhůta výrobce
22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 625A (Tc) 2113W (Tc) Montáž na šasi
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Rds zap (max) při Id, Vgs
5,5mOhm při 300A, 20V
Výrobce
SemiQ
Vgs(th) (max) při Id
4V při 120mA
Řada
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
1408nC při 20V
Balení
Krabice
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
41400pF při 800V
Stav součásti
Aktivní
Výkon - max
2113W (Tc)
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Konfigurace
2 N-kanál (polomůstkový)
Způsob montáže
Montáž na šasi
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Pouzdro
Modul
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
625A (Tc)
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Skladem: 6
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Krabice
Množství Jednotková cena Celk. cena
15 337,34000 Kč5 337,34 Kč
154 806,08067 Kč72 091,21 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:5 337,34000 Kč
Jednotková cena s DPH:6 458,18140 Kč