Name: GCMX005A120S3B1-N
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX005A120S3B1-N-ND
Price: 4949.9406 CZK
Availability: OutOfStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GCMX005A120S3B1-N
Číslo produktu DigiKey	1560-GCMX005A120S3B1-N-ND
Výrobce	SemiQ
Číslo produktu výrobce	GCMX005A120S3B1-N
Popis	1200V, 5M SIC MOSFET HALF BRIDGE
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 424A (Tc) 1,531kW (Tc) Montáž na šasi
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	SemiQ
Řada	QSiC™
Balení	Krabice
Stav součásti	Aktivní
Technologie	Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace	2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	424A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	7mOhm při 200A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 80mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	901nC při 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	26400pF při 800V
Výkon - max	1,531kW (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na šasi
Pouzdro	Modul
Dodávaná velikost pouzdra	-