Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 424A (Tc) 1531W (Tc) Montáž na šasi
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GCMX005A120S3B1-N

Číslo produktu DigiKey
1560-GCMX005A120S3B1-N-ND
Výrobce
SemiQ
Číslo produktu výrobce
GCMX005A120S3B1-N
Popis
1200V, 5M SIC MOSFET HALF BRIDGE
Standardní dodací lhůta výrobce
22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 424A (Tc) 1531W (Tc) Montáž na šasi
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
SemiQ
Řada
QSiC™
Balení
Krabice
Stav součásti
Aktivní
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace
2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
424A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
7mOhm při 200A, 20V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 80mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
901nC při 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
26400pF při 800V
Výkon - max
1531W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na šasi
Pouzdro
Modul
Dodávaná velikost pouzdra
-
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 13
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Krabice
Množství Jednotková cena Celk. cena
14 080,75000 Kč4 080,75 Kč
153 802,73800 Kč57 041,07 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:4 080,75000 Kč
Jednotková cena s DPH:4 937,70750 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
3 Položky
GCMX003A120S3B1-N

GCMX003A120S3B1-N

1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE

SemiQ

5 012,85000 Kč
GCMX005A120S7B1

GCMX005A120S7B1

MOSFET 2N-CH 1200V 348A

SemiQ

3 493,44000 Kč
GCMX3P5B120S3B1-N

GCMX3P5B120S3B1-N

GEN3 1200V 3.6M SIC 62MM HALF BR

SemiQ

2 912,21000 Kč