Novinka od společnosti DigiKey
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 608A (Tc) 1705W (Tc) Montáž na šasi
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GCMX2P3B120S3B1-N

Číslo produktu DigiKey
1560-GCMX2P3B120S3B1-N-ND
Výrobce
SemiQ
Číslo produktu výrobce
GCMX2P3B120S3B1-N
Popis
GEN3 1200V 2.4M SIC 62MM HALF BR
Standardní dodací lhůta výrobce
6 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 608A (Tc) 1705W (Tc) Montáž na šasi
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
SemiQ
Řada
QSiC™
Balení
Krabice
Stav součásti
Aktivní
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace
2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
608A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
3mOhm @ 300A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 120mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
1566nC @ 18V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
42900pF @ 800V
Výkon - max
1705W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na šasi
Pouzdro
Modul
Dodávaná velikost pouzdra
-
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 11
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Krabice
Množství Jednotková cena Celk. cena
13 297,74000 Kč3 297,74 Kč
152 963,86800 Kč44 458,02 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:3 297,74000 Kč
Jednotková cena s DPH:3 990,26540 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
2 Položky
GCMX003A120S3B1-N

GCMX003A120S3B1-N

1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE

SemiQ

5 012,85000 Kč
GCMX3P5B120S3B1-N

GCMX3P5B120S3B1-N

GEN3 1200V 3.6M SIC 62MM HALF BR

SemiQ

2 912,21000 Kč