Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 420A (Tc) Montáž na šasi AG-62MMHB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FF2MR12KM1HPHPSA1

Číslo produktu DigiKey
448-FF2MR12KM1HPHPSA1-ND
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
FF2MR12KM1HPHPSA1
Popis
MOSFET 2N-CH 1200V AG-62MMHB
Standardní dodací lhůta výrobce
23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 420A (Tc) Montáž na šasi AG-62MMHB
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FF2MR12KM1HPHPSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Infineon Technologies
Řada
C, CoolSiC™
Balení
Nosič
Stav součásti
Aktivní
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace
2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
420A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,96mOhm při 420A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
5,15V při 168mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
1200nC při 18V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
36300pF při 800V
Výkon - max
-
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na šasi
Pouzdro
Modul
Dodávaná velikost pouzdra
AG-62MMHB
Základní číslo produktu
FF2MR12
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 21
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Nosič
Množství Jednotková cena Celk. cena
17 165,36000 Kč7 165,36 Kč
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:7 165,36000 Kč
Jednotková cena s DPH:8 670,08560 Kč
Může vás též zajímat
1 Položky
FF2MR12KM1HHPSA1

FF2MR12KM1HHPSA1

IGBT MODULE 1200V AG-62MMHB

Infineon Technologies

7 003,25000 Kč