Name: GCMX005A170S3B1-N
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX005A170S3B1-N-ND
Price: 8535.2916 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GCMX005A170S3B1-N
Číslo produktu DigiKey	1560-GCMX005A170S3B1-N-ND
Výrobce	SemiQ
Číslo produktu výrobce	GCMX005A170S3B1-N
Popis	SIC MOSFET MOD
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1700V (1,7kV) 397A (Tc) 2113W (Tc) Montáž na šasi

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 7mOhm při 200A, 20V
Výrobce SemiQ	Vgs(th) (max) při Id 4V při 120mA
Řada QSiC™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 1416nC při 20V
Balení Krabice	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 43600pF při 1200V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 2113W (Tc)
Technologie Karbid křemíku (SiC)	Provozní teplota -40°C ~ 175°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (polomůstkový)	Způsob montáže Montáž na šasi
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1700V (1,7kV)	Pouzdro Modul
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 397A (Tc)