Name: NXH007F120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 5556-NXH007F120M3F2PTHG-ND
Price: 4082.3464 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NXH007F120M3F2PTHG
Číslo produktu DigiKey	5556-NXH007F120M3F2PTHG-ND
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NXH007F120M3F2PTHG
Popis	MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 149A (Tc) 353W (Tj) Montáž na šasi 34-PIM (56,7x42,5)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	onsemi
Řada	-
Balení	Nosič
Stav součásti	Aktivní
Technologie	Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace	4 N-kanál (polomůstek)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	149A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	10mOhm při 120A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4,4V při 60mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	407nC při 18V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	9090pF při 800V
Výkon - max	353W (Tj)
Provozní teplota	-40°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na šasi
Pouzdro	Modul
Dodávaná velikost pouzdra	34-PIM (56,7x42,5)
Základní číslo produktu	NXH007

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 32

Skladové zásoby výrobce: 80

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Nezrušitelné/nevratné

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Nosič

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	3 373,84000 Kč	3 373,84 Kč
20	3 048,61650 Kč	60 972,33 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.