Name: NXH007F120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 5556-NXH007F120M3F2PTHG-ND
Price: 4321.0673 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NXH007F120M3F2PTHG
Číslo produktu DigiKey	5556-NXH007F120M3F2PTHG-ND
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NXH007F120M3F2PTHG
Popis	MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 149A (Tc) 353W (Tj) Montáž na šasi 34-PIM (56,7x42,5)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,4V při 60mA
Výrobce onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 407nC při 18V
Balení Nosič	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 9090pF při 800V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 353W (Tj)
Technologie Karbid křemíku (SiC)	Provozní teplota -40°C ~ 175°C (TJ)
Konfigurace 4 N-kanál (polomůstek)	Způsob montáže Montáž na šasi
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200V (1,2kV)	Pouzdro Modul
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 149A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 34-PIM (56,7x42,5)
Rds zap (max) při Id, Vgs 10mOhm při 120A, 18V	Základní číslo produktu NXH007

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 55

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Nosič

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	3 571,13000 Kč	3 571,13 Kč
20	3 073,20450 Kč	61 464,09 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.