
GCMX010A120B3H1P | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | 1560-GCMX010A120B3H1P-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | GCMX010A120B3H1P |
Popis | 1200V, 10M SIC MOSFET FULL BRIDG |
Standardní dodací lhůta výrobce | 22 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 201A (Tc) 600W (Tc) Montáž na šasi |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | SemiQ | |
Řada | ||
Balení | Krabice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | Karbid křemíku (SiC) | |
Konfigurace | 4 N-kanál (polomůstek) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 201A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 14mOhm při 100A, 20V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 40mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 428nC při 20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 10900pF při 800V | |
Výkon - max | 600W (Tc) | |
Provozní teplota | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na šasi | |
Pouzdro | Modul | |
Dodávaná velikost pouzdra | - |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 2 830,17000 Kč | 2 830,17 Kč |
10 | 2 478,77000 Kč | 24 787,70 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 2 830,17000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 3 424,50570 Kč |