Name: GCMX010A120B3H1P
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX010A120B3H1P-ND
Price: 3665.6587 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GCMX010A120B3H1P
Číslo produktu DigiKey	1560-GCMX010A120B3H1P-ND
Výrobce	SemiQ
Číslo produktu výrobce	GCMX010A120B3H1P
Popis	1200V, 10M SIC MOSFET FULL BRIDG
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 201A (Tc) 600W (Tc) Montáž na šasi
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 14mOhm při 100A, 20V
Výrobce SemiQ	Vgs(th) (max) při Id 4V při 40mA
Řada QSiC™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 428nC při 20V
Balení Krabice	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 10900pF při 800V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 600W (Tc)
Technologie Karbid křemíku (SiC)	Provozní teplota -40°C ~ 175°C (TJ)
Konfigurace 4 N-kanál (polomůstek)	Způsob montáže Montáž na šasi
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200V (1,2kV)	Pouzdro Modul
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 201A (Tc)