Name: NXH008T120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 5556-NXH008T120M3F2PTHG-ND
Price: 4295.8267 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NXH008T120M3F2PTHG
Číslo produktu DigiKey	5556-NXH008T120M3F2PTHG-ND
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NXH008T120M3F2PTHG
Popis	MOSFET 4N-CH 1200V 129A 29PIM
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 129A (Tc) 371W (Tj) Montáž na šasi 29-PIM (56,7x42,5)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	onsemi
Řada	-
Balení	Nosič
Stav součásti	Aktivní
Technologie	Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace	4N-kanál
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	129A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	11,5mOhm při 100A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4,4V při 60mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	454nC při 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	9129pF při 800V
Výkon - max	371W (Tj)
Provozní teplota	-40°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na šasi
Pouzdro	Modul
Dodávaná velikost pouzdra	29-PIM (56,7x42,5)
Základní číslo produktu	NXH008

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 8

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Nosič

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	3 550,27000 Kč	3 550,27 Kč
20	3 236,20100 Kč	64 724,02 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.