Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 129A (Tc) 371W (Tj) Montáž na šasi 29-PIM (56,7x42,5)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 129A (Tc) 371W (Tj) Montáž na šasi 29-PIM (56,7x42,5)
NXH008T120M3F2PTHG
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH008T120M3F2PTHG

Číslo produktu DigiKey
5556-NXH008T120M3F2PTHG-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
NXH008T120M3F2PTHG
Popis
MOSFET 4N-CH 1200V 129A 29PIM
Standardní dodací lhůta výrobce
23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 129A (Tc) 371W (Tj) Montáž na šasi 29-PIM (56,7x42,5)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
4,4V při 60mA
Výrobce
onsemi
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
454nC při 20V
Balení
Nosič
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
9129pF při 800V
Stav součásti
Aktivní
Výkon - max
371W (Tj)
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Konfigurace
4N-kanál
Způsob montáže
Montáž na šasi
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Pouzdro
Modul
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
129A (Tc)
Dodávaná velikost pouzdra
29-PIM (56,7x42,5)
Rds zap (max) při Id, Vgs
11,5mOhm při 100A, 18V
Základní číslo produktu
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Skladem: 1
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Nosič
Množství Jednotková cena Celk. cena
13 237,26000 Kč3 237,26 Kč
202 738,30700 Kč54 766,14 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:3 237,26000 Kč
Jednotková cena s DPH:3 917,08460 Kč