



NXH008T120M3F2PTHG | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 5556-NXH008T120M3F2PTHG-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | NXH008T120M3F2PTHG |
Popis | MOSFET 4N-CH 1200V 129A 29PIM |
Standardní dodací lhůta výrobce | 23 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 129A (Tc) 371W (Tj) Montáž na šasi 29-PIM (56,7x42,5) |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4,4V při 60mA |
Výrobce onsemi | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 454nC při 20V |
Balení Nosič | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 9129pF při 800V |
Stav součásti Aktivní | Výkon - max 371W (Tj) |
Technologie Karbid křemíku (SiC) | Provozní teplota -40°C ~ 175°C (TJ) |
Konfigurace 4N-kanál | Způsob montáže Montáž na šasi |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200V (1,2kV) | Pouzdro Modul |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 129A (Tc) | Dodávaná velikost pouzdra 29-PIM (56,7x42,5) |
Rds zap (max) při Id, Vgs 11,5mOhm při 100A, 18V | Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 3 237,26000 Kč | 3 237,26 Kč |
| 20 | 2 738,30700 Kč | 54 766,14 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 3 237,26000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 3 917,08460 Kč |




