Name: NXH011T120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 5556-NXH011T120M3F2PTHG-ND
Price: 2878.4206 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NXH011T120M3F2PTHG
Číslo produktu DigiKey	5556-NXH011T120M3F2PTHG-ND
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NXH011T120M3F2PTHG
Popis	MOSFET 4N-CH 1200V 91A 29PIM
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 91A (Tc) 272W (Tj) Montáž na šasi 29-PIM (56,7x42,5)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	onsemi
Řada	-
Balení	Nosič
Stav součásti	Aktivní
Technologie	Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace	4 N-kanál (solární invertor)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	91A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	16mOhm při 70A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4,4V a 40mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	306nC při 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6331pF při 800V
Výkon - max	272W (Tj)
Provozní teplota	-40°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na šasi
Pouzdro	Modul
Dodávaná velikost pouzdra	29-PIM (56,7x42,5)
Základní číslo produktu	NXH011

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 14

Skladové zásoby výrobce: 14 480

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Nosič

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	2 378,86000 Kč	2 378,86 Kč
20	2 013,51650 Kč	40 270,33 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.