Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 91A (Tc) 272W (Tj) Montáž na šasi 29-PIM (56,7x42,5)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 91A (Tc) 272W (Tj) Montáž na šasi 29-PIM (56,7x42,5)
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH011T120M3F2PTHG

Číslo produktu DigiKey
5556-NXH011T120M3F2PTHG-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
NXH011T120M3F2PTHG
Popis
MOSFET 4N-CH 1200V 91A 29PIM
Standardní dodací lhůta výrobce
25 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 91A (Tc) 272W (Tj) Montáž na šasi 29-PIM (56,7x42,5)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
4,4V a 40mA
Výrobce
onsemi
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
306nC při 20V
Balení
Nosič
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
6331pF při 800V
Stav součásti
Aktivní
Výkon - max
272W (Tj)
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Konfigurace
4 N-kanál (solární invertor)
Způsob montáže
Montáž na šasi
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Pouzdro
Modul
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
91A (Tc)
Dodávaná velikost pouzdra
29-PIM (56,7x42,5)
Rds zap (max) při Id, Vgs
16mOhm při 70A, 18V
Základní číslo produktu
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Skladem: 24
Skladové zásoby výrobce: 13 840
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Nosič
Množství Jednotková cena Celk. cena
12 474,71000 Kč2 474,71 Kč
201 994,91200 Kč39 898,24 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:2 474,71000 Kč
Jednotková cena s DPH:2 994,39910 Kč