Name: GCMX020A120B2H2P
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX020A120B2H2P-ND
Price: 2137.9974 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GCMX020A120B2H2P
Číslo produktu DigiKey	1560-GCMX020A120B2H2P-ND
Výrobce	SemiQ
Číslo produktu výrobce	GCMX020A120B2H2P
Popis	1200V, 20M SIC MOSFET FULL BRIDG
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 102A (Tc) 333W (Tc) Montáž na šasi
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	SemiQ
Řada	QSiC™
Balení	Krabice
Stav součásti	Aktivní
Technologie	Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace	4 N-kanál (polomůstek)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	102A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	28mOhm při 50A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 20mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	237nC při 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5600pF při 800V
Výkon - max	333W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na šasi
Pouzdro	Modul
Dodávaná velikost pouzdra	-