Nastavení
Rychlé dodání
Dodávka zdarma
Incoterms
Typy plateb
Produkt služby Marketplace
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
NXH015F120M3F1PTG | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 488-NXH015F120M3F1PTG-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | NXH015F120M3F1PTG |
Popis | SILICON CARBIDE (SIC) MODULE ELI |
Standardní dodací lhůta výrobce | 22 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 77A (Tc) 198W (Tj) Montáž na šasi 22-PIM (33,8x42,5) |
Katalogový list | Katalogový list |
Vlastnosti produktu
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | onsemi | |
Řada | - | |
Balení | Nosič | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | Karbid křemíku (SiC) | |
Konfigurace | 4 N-kanál (polomůstek) | |
Funkce tranzistoru FET | Režim spotřeby | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 77A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 19mOhm při 60A, 18V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4,4V při 30mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 211nC při 18V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 4696pF při 800V | |
Výkon - max | 198W (Tj) | |
Provozní teplota | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na šasi | |
Pouzdro | Modul | |
Dodávaná velikost pouzdra | 22-PIM (33,8x42,5) | |
Základní číslo produktu |
Skladem: 11
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Nosič
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 1 429,33000 Kč | 1 429,33 Kč |
| 28 | 1 091,89607 Kč | 30 573,09 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 1 429,33000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 1 729,48930 Kč |
Česká republika