Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 56A (Tc) 217W (Tc) Montáž na šasi
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GCMX040A120B2H2P

Číslo produktu DigiKey
1560-GCMX040A120B2H2P-ND
Výrobce
SemiQ
Číslo produktu výrobce
GCMX040A120B2H2P
Popis
1200V, 40M SIC MOSFET FULL BRIDG
Standardní dodací lhůta výrobce
22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 56A (Tc) 217W (Tc) Montáž na šasi
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
SemiQ
Řada
QSiC™
Balení
Krabice
Stav součásti
Aktivní
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace
4 N-kanál (polomůstek)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
56A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
52mOhm při 40A, 20V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 10mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
115nC při 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3200pF při 800V
Výkon - max
217W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na šasi
Pouzdro
Modul
Dodávaná velikost pouzdra
-
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 20
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Krabice
Množství Jednotková cena Celk. cena
11 089,59000 Kč1 089,59 Kč
10825,66200 Kč8 256,62 Kč
100783,75040 Kč78 375,04 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:1 089,59000 Kč
Jednotková cena s DPH:1 318,40390 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
2 Položky
GCMX020A120B2H2P

GCMX020A120B2H2P

1200V, 20M SIC MOSFET FULL BRIDG

SemiQ

1 762,57000 Kč
F417MR12W1M1HB76BPSA1

F417MR12W1M1HB76BPSA1

LOW POWER EASY

Infineon Technologies

1 924,89000 Kč