NXH004P120M3F2PTHG
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
NXH004P120M3F2PTHG
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH004P120M3F2PTHG

Číslo produktu DigiKey
5556-NXH004P120M3F2PTHG-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
NXH004P120M3F2PTHG
Popis
MOSFET 2N-CH 1200V 284A 36PIM
Standardní dodací lhůta výrobce
20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 284A (Tc) 785W (Tc) Montáž na šasi 36-PIM (56,7x62,8)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
onsemi
Řada
-
Balení
Nosič
Stav součásti
Aktivní
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace
2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
284A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
5,5mOhm při 200A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
4,4V při 120mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
876nC při 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
16410pF při 800V
Výkon - max
785W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na šasi
Pouzdro
Modul
Dodávaná velikost pouzdra
36-PIM (56,7x62,8)
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 20
Skladové zásoby výrobce: 740
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Nosič
Množství Jednotková cena Celk. cena
13 750,27000 Kč3 750,27 Kč
203 444,35900 Kč68 887,18 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:3 750,27000 Kč
Jednotková cena s DPH:4 537,82670 Kč