Name: NXH003P120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 5556-NXH003P120M3F2PTHG-ND
Price: 5232.161 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NXH003P120M3F2PTHG
Číslo produktu DigiKey	5556-NXH003P120M3F2PTHG-ND
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NXH003P120M3F2PTHG
Popis	MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM
Standardní dodací lhůta výrobce	21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 350A (Tc) 979W (Tc) Montáž na šasi 36-PIM (56,7x62,8)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	onsemi
Řada	-
Balení	Nosič
Stav součásti	Aktivní
Technologie	Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace	2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	350A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	5mOhm při 200A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4,4V při 160mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	1195nC při 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	20889pF při 800V
Výkon - max	979W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 175°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na šasi
Pouzdro	Modul
Dodávaná velikost pouzdra	36-PIM (56,7x62,8)
Základní číslo produktu	NXH003

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 49

Skladové zásoby výrobce: 300

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Nosič

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	4 324,10000 Kč	4 324,10 Kč
20	4 073,25450 Kč	81 465,09 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.