Name: NXH003P120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 5556-NXH003P120M3F2PTHG-ND
Price: 5537.8312 CZK
Availability: InStock

Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 350A (Tc) 979W (Tc) Montáž na šasi 36-PIM (56,7x62,8)

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NXH003P120M3F2PTHG
Číslo produktu DigiKey	5556-NXH003P120M3F2PTHG-ND
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NXH003P120M3F2PTHG
Popis	MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 350A (Tc) 979W (Tc) Montáž na šasi 36-PIM (56,7x62,8)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,4V při 160mA
Výrobce onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 1195nC při 20V
Balení Nosič	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 20889pF při 800V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 979W (Tc)
Technologie Karbid křemíku (SiC)	Provozní teplota -40°C ~ 175°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (polomůstkový)	Způsob montáže Montáž na šasi
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200V (1,2kV)	Pouzdro Modul
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 350A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 36-PIM (56,7x62,8)
Rds zap (max) při Id, Vgs 5mOhm při 200A, 18V	Základní číslo produktu NXH003

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 17

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Nosič

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	4 576,72000 Kč	4 576,72 Kč
20	4 106,10650 Kč	82 122,13 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.