NXH004P120M3F2PTHG
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
NXH004P120M3F2PTHG
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH003P120M3F2PTHG

Číslo produktu DigiKey
5556-NXH003P120M3F2PTHG-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
NXH003P120M3F2PTHG
Popis
MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM
Standardní dodací lhůta výrobce
21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 350A (Tc) 979W (Tc) Montáž na šasi 36-PIM (56,7x62,8)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
onsemi
Řada
-
Balení
Nosič
Stav součásti
Aktivní
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace
2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
350A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
5mOhm při 200A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
4,4V při 160mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
1195nC při 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
20889pF při 800V
Výkon - max
979W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na šasi
Pouzdro
Modul
Dodávaná velikost pouzdra
36-PIM (56,7x62,8)
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 43
Skladové zásoby výrobce: 300
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Nosič
Množství Jednotková cena Celk. cena
14 369,77000 Kč4 369,77 Kč
204 116,27500 Kč82 325,50 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:4 369,77000 Kč
Jednotková cena s DPH:5 287,42170 Kč