Name: FDT86113LZ
Brand: onsemi
SKU: FDT86113LZTR-ND
Price: 41.6724 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDT86113LZ
Číslo produktu DigiKey	FDT86113LZTR-ND - Páska a cívka (TR) FDT86113LZCT-ND - Řezaná páska (CT) FDT86113LZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDT86113LZ
Popis	MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Standardní dodací lhůta výrobce	21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 3,3A (Tc) 2,2W (Ta) Montáž na povrch SOT-223-4
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDT86113LZ Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 6.8 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 315 pF @ 50 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,2W (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra SOT-223-4
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 3,3A (Tc)	Pouzdro TO-261-4, TO-261AA
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu FDT86113
Rds zap (max) při Id, Vgs 100mOhm při 3,3A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 25 659

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®