N-kanál 100 V 1,8A (Ta) 1,8W (Ta) Montáž na povrch PG-SOT223-4
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 100 V 1,8A (Ta) 1,8W (Ta) Montáž na povrch PG-SOT223-4
Infineon Small Signal P-Channel and N-Channel MOSFETs PIO | DigiKey

BSP372NH6327XTSA1

Číslo produktu DigiKey
BSP372NH6327XTSA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
BSP372NH6327XTSA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
BSP372NH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
BSP372NH6327XTSA1
Popis
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Standardní dodací lhůta výrobce
17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 1,8A (Ta) 1,8W (Ta) Montáž na povrch PG-SOT223-4
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSP372NH6327XTSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
1,8A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
230mOhm při 1,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
1,8V při 218µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
329 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
1,8W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-SOT223-4
Pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo produktu
BSP372
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 49 592
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
124,84000 Kč24,84 Kč
1015,60400 Kč156,04 Kč
10010,22260 Kč1 022,26 Kč
5007,91078 Kč3 955,39 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
1 0006,31919 Kč6 319,19 Kč
2 0005,76658 Kč11 533,16 Kč
3 0005,48492 Kč16 454,76 Kč
5 0005,16839 Kč25 841,95 Kč
7 0004,98094 Kč34 866,58 Kč
10 0004,79870 Kč47 987,00 Kč
25 0004,72481 Kč118 120,25 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:24,84000 Kč
Jednotková cena s DPH:30,05640 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
2 Položky
AUIR2085STR

AUIR2085STR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

87,26000 Kč
TLE9180D31QKXUMA1

TLE9180D31QKXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64LQFP

Infineon Technologies

143,72000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
FDT86106LZ

FDT86106LZ

MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4

onsemi

40,24000 Kč
FDT86113LZ

FDT86113LZ

MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4

onsemi

30,39000 Kč
BSP373NH6327XTSA1

BSP373NH6327XTSA1

MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4

Infineon Technologies

22,38000 Kč
NVR5198NLT1G

NVR5198NLT1G

MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3

onsemi

12,52000 Kč
NRVB1H100SFT3G

NRVB1H100SFT3G

DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FL

onsemi

14,17000 Kč
4580 03 MP T0,8 V12VP12

4580 03 MP T0,8 V12VP12

HIGH CURENT CONTACT 0.8-1.5 MM

Lumberg Inc

27,51000 Kč
CAV25M01VE-GT3

CAV25M01VE-GT3

IC EEPROM 1MBIT SPI 10MHZ 8SOIC

onsemi

29,77000 Kč
B0530WSQ-13-F

B0530WSQ-13-F

DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD323

Diodes Incorporated

8,21000 Kč
NRVBSS16HE

NRVBSS16HE

DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD323HE

onsemi

16,01000 Kč
DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Diodes Incorporated

20,33000 Kč