Name: ZXMN10A08GTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN10A08GTR-ND
Price: 31.2543 CZK
Availability: InStock

ZXMN10A08GTA
Číslo produktu DigiKey	ZXMN10A08GTR-ND - Páska a cívka (TR) ZXMN10A08GCT-ND - Řezaná páska (CT) ZXMN10A08GDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	ZXMN10A08GTA
Popis	MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 2A (Ta) 2W (Ta) Montáž na povrch SOT-223-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	ZXMN10A08GTA Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	250mOhm při 3,2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	7.7 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	405 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-223-3
Pouzdro	TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo produktu	ZXMN10

Jednotková cena bez DPH:	25,83000 Kč
Jednotková cena s DPH:	31,25430 Kč

ZXMN10A08GTA