N-kanál 100 V 1,8A (Ta) 1,8W (Ta) Montáž na povrch PG-SOT223-4
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 100 V 1,8A (Ta) 1,8W (Ta) Montáž na povrch PG-SOT223-4
Infineon Small Signal P-Channel and N-Channel MOSFETs PIO | DigiKey

BSP372NH6327XTSA1

Číslo produktu DigiKey
BSP372NH6327XTSA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
BSP372NH6327XTSA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
BSP372NH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
BSP372NH6327XTSA1
Popis
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Standardní dodací lhůta výrobce
17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 1,8A (Ta) 1,8W (Ta) Montáž na povrch PG-SOT223-4
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSP372NH6327XTSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
1,8A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
230mOhm při 1,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
1,8V při 218µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
329 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
1,8W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-SOT223-4
Pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo produktu
BSP372
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 45 822
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
125,41000 Kč25,41 Kč
1015,95800 Kč159,58 Kč
10010,45490 Kč1 045,49 Kč
5008,09052 Kč4 045,26 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
1 0006,46276 Kč6 462,76 Kč
2 0005,89761 Kč11 795,22 Kč
3 0005,60955 Kč16 828,65 Kč
5 0005,28583 Kč26 429,15 Kč
7 0005,09411 Kč35 658,77 Kč
10 0004,90774 Kč49 077,40 Kč
25 0004,83216 Kč120 804,00 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:25,41000 Kč
Jednotková cena s DPH:30,74610 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
2 Položky
AUIR2085STR

AUIR2085STR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

90,92000 Kč
TLE9180D31QKXUMA1

TLE9180D31QKXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64LQFP

Infineon Technologies

149,93000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA

MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Diodes Incorporated

24,15000 Kč
FDT86106LZ

FDT86106LZ

MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4

onsemi

41,16000 Kč
FDT86113LZ

FDT86113LZ

MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4

onsemi

31,08000 Kč
BSP373NH6327XTSA1

BSP373NH6327XTSA1

MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4

Infineon Technologies

22,89000 Kč
NRVB1H100SFT3G

NRVB1H100SFT3G

DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FL

onsemi

14,49000 Kč
4580 03 MP T0,8 V12VP12

4580 03 MP T0,8 V12VP12

HIGH CURENT CONTACT 0.8-1.5 MM

Lumberg Inc

28,14000 Kč
B0530WSQ-13-F

B0530WSQ-13-F

DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD323

Diodes Incorporated

8,40000 Kč
NRVBSS16HE

NRVBSS16HE

DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD323HE

onsemi

16,38000 Kč
DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Diodes Incorporated

20,79000 Kč
NVR5198NLT1G

NVR5198NLT1G

MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3

onsemi

12,81000 Kč