8-VDFN Exposed Pad
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
8-VDFN Exposed Pad
8-VDFN Exposed Pad
Nexperia- e-mode GaN FETs | First Look

GAN080-650EBEZ

Číslo produktu DigiKey
1727-GAN080-650EBEZTR-ND - Páska a cívka (TR)
1727-GAN080-650EBEZCT-ND - Řezaná páska (CT)
1727-GAN080-650EBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce
GAN080-650EBEZ
Popis
650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 29A (Tc) 240W (Tc) Montáž na povrch, Smáčitelný bok DFN8080-8
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Nexperia USA Inc.
Řada
-
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
29A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
6V
Rds zap (max) při Id, Vgs
80mOhm při 8A, 6V
Vgs(th) (max) při Id
2,5V při 30,7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
6.2 nC @ 6 V
Vgs (max)
+7V, -6V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
225 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
240W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Dodávaná velikost pouzdra
DFN8080-8
Pouzdro
8-VDFN podložka pro odvod tepla
Základní číslo produktu
GAN080
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 Skladem
Vzhledem k dočasnému omezení dodávek není společnost DigiKey nyní schopna přijímat zpětné objednávky.
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
1203,34000 Kč203,34 Kč
10138,02500 Kč1 380,25 Kč
50110,03680 Kč5 501,84 Kč
100101,03790 Kč10 103,79 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
2 50082,72650 Kč206 816,25 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:203,34000 Kč
Jednotková cena s DPH:246,04140 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
GAN140-650EBEZ

GAN140-650EBEZ

650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE

Nexperia USA Inc.

212,61000 Kč
LMG1020YFFR

LMG1020YFFR

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

94,30000 Kč
IGT65R025D2ATMA1

IGT65R025D2ATMA1

IGT65R025D2ATMA1

Infineon Technologies

250,92000 Kč
WI71060TR

WI71060TR

POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN

Wise-Integration

126,09000 Kč
CDFG6558N TR13 PBFREE

CDFG6558N TR13 PBFREE

GANFET N-CH 650V 29A 8DFN

Central Semiconductor Corp

229,02000 Kč
CGD65A055SH2

CGD65A055SH2

650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W

Cambridge GaN Devices

265,23000 Kč
TP65H015G5WS

TP65H015G5WS

650 V 95 A GAN FET

Renesas Electronics Corporation

678,86000 Kč
GS0650306LLMRXUMA1

GS0650306LLMRXUMA1

GAN POWER TRANSISTOR

Infineon Technologies

202,71000 Kč
CDF56G6517N TR13 PBFREE

CDF56G6517N TR13 PBFREE

650V, 17A, N-CHANNEL GAN FET IN

Central Semiconductor Corp

119,56000 Kč
CDF56G6511N TR13 PBFREE

CDF56G6511N TR13 PBFREE

650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET IN

Central Semiconductor Corp

104,41000 Kč