Name: GAN080-650EBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN080-650EBEZTR-ND
Price: 210.1165 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GAN080-650EBEZ
Číslo produktu DigiKey	1727-GAN080-650EBEZTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-GAN080-650EBEZCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-GAN080-650EBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	GAN080-650EBEZ
Popis	650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Standardní dodací lhůta výrobce	4 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 29A (Tc) 240W (Tc) Montáž na povrch, Smáčitelný bok DFN8080-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 30,7mA
Mfr Nexperia USA Inc.	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 6.2 nC @ 6 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +7V, -6V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 225 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 240W (Tc)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Způsob montáže Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 29A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra DFN8080-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V	Pouzdro 8-VDFN podložka pro odvod tepla
Rds zap (max) při Id, Vgs 80mOhm při 8A, 6V	Základní číslo produktu GAN080