Name: LND150N8-G
Brand: Microchip Technology
SKU: LND150N8-GTR-ND
Price: 19.9166 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

LND150N8-G
Číslo produktu DigiKey	LND150N8-GTR-ND - Páska a cívka (TR) LND150N8-GCT-ND - Řezaná páska (CT) LND150N8-GDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Microchip Technology
Číslo produktu výrobce	LND150N8-G
Popis	MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Standardní dodací lhůta výrobce	8 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál, režim vybíjení 500 V 30mA (Tj) 1,6W (Ta) Montáž na povrch SOT-89-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	LND150N8-G Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Microchip Technology
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál, režim vybíjení
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	30mA (Tj)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	0V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1000Ohm při 500µA, 0V
Vgs(th) (max) při Id	-
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	10 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,6W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-89-3
Pouzdro	TO-243AA
Základní číslo produktu	LND150