N-kanál, režim vybíjení 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Průchozí otvor TO-92-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

LND150N3-G

Číslo produktu DigiKey
LND150N3-G-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
LND150N3-G
Popis
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Standardní dodací lhůta výrobce
6 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál, režim vybíjení 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Průchozí otvor TO-92-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
LND150N3-G Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Sáček
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
0V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1000Ohm při 500µA, 0V
Vgs(th) (max) při Id
-
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
10 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
740mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-92-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 5 717
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Sáček
Množství Jednotková cena Celk. cena
112,32000 Kč12,32 Kč
2510,67640 Kč266,91 Kč
1009,44450 Kč944,45 Kč
Jednotková cena bez DPH:12,32000 Kč
Jednotková cena s DPH:14,90720 Kč