Name: LND150N3-G
Brand: Microchip Technology
SKU: LND150N3-G-ND
Price: 15.246 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

LND150N3-G
Číslo produktu DigiKey	LND150N3-G-ND
Výrobce	Microchip Technology
Číslo produktu výrobce	LND150N3-G
Popis	MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál, režim vybíjení 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Průchozí otvor TO-92-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	LND150N3-G Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 1000Ohm při 500µA, 0V
Mfr Microchip Technology	Vgs (max) ±20V
Balení Sáček	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 10 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 740mW (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál, režim vybíjení	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Průchozí otvor
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 500 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-92-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 30mA (Tj)	Pouzdro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 0V	Základní číslo produktu LND150