Name: IPB200N25N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB200N25N3GATMA1TR-ND
Price: 189.2924 CZK
Availability: InStock

IPB200N25N3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB200N25N3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB200N25N3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB200N25N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB200N25N3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB200N25N3GATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	250 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	64A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	20mOhm při 64A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 270µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	86 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7100 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	300W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB200

Jednotková cena bez DPH:	156,44000 Kč
Jednotková cena s DPH:	189,29240 Kč

IPB200N25N3GATMA1