Name: BSP135H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP135H6327XTSA1TR-ND
Price: 41.5877 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSP135H6327XTSA1
Číslo produktu DigiKey	BSP135H6327XTSA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSP135H6327XTSA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSP135H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSP135H6327XTSA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Standardní dodací lhůta výrobce	10 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál, režim vybíjení 600 V 120mA (Ta) 1,8W (Ta) Montáž na povrch PG-SOT223-4
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSP135H6327XTSA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	SIPMOS®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál, režim vybíjení
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	120mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	0V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	45Ohm při 120mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 94µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	4.9 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	146 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,8W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-SOT223-4
Pouzdro	TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo produktu	BSP135