
IXTP4N70X2M | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 238-IXTP4N70X2M-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IXTP4N70X2M |
Popis | MOSFET N-CH 700V 4A TO220 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 36 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 700 V 4A (Tc) 30W (Tc) Průchozí otvor TO-220 izolovaná podložka |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 11.8 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±30V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 386 pF @ 25 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 30W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 700 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-220 izolovaná podložka |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 850mOhm při 2A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA70R750P7SXKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 1 235 | 2156-IPA70R750P7SXKSA1-ND | 12,80877 Kč | Similar |
| IPAN65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | 14 | IPAN65R650CEXKSA1-ND | 41,37000 Kč | Similar |
| R6007ENX | Rohm Semiconductor | 490 | R6007ENX-ND | 71,39000 Kč | Similar |
| STP10NK60ZFP | STMicroelectronics | 354 | 497-5892-5-ND | 92,60000 Kč | Similar |
| STP10NK70ZFP | STMicroelectronics | 951 | 497-12602-5-ND | 115,49000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 106,88000 Kč | 106,88 Kč |
| 50 | 55,27520 Kč | 2 763,76 Kč |
| 100 | 50,28180 Kč | 5 028,18 Kč |
| 500 | 41,53614 Kč | 20 768,07 Kč |
| 1 000 | 38,72766 Kč | 38 727,66 Kč |
| 2 000 | 36,36770 Kč | 72 735,40 Kč |
| 5 000 | 35,95383 Kč | 179 769,15 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 106,88000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 129,32480 Kč |

