N-kanál 650 V 10,1A (Tc) 28W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-FP
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPAN65R650CEXKSA1

Číslo produktu DigiKey
IPAN65R650CEXKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPAN65R650CEXKSA1
Popis
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 10,1A (Tc) 28W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-FP
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPAN65R650CEXKSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Datum posledního nákupu
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
650mOhm při 2,1A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 210µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
440 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
28W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO220-FP
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 14
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Jakmile dojde k vyčerpání skladových zásob tohoto výrobku, bude se jeho dodání řídit standardním balením a dodací lhůtou výrobce. Zobrazit Náhrady.
Datum posledního nákupu: 30.09.2026
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
135,07000 Kč35,07 Kč
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:35,07000 Kč
Jednotková cena s DPH:42,43470 Kč