IPA70R750P7SXKSA1 Infineon Technologies | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

IPA70R750P7SXKSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

IXYS

Skladem : 24

Jednotková cena : 106,88000 Kč

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 183

Jednotková cena : 83,78000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPA70R750P7SXKSA1
Číslo produktu DigiKey	IPA70R750P7SXKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPA70R750P7SXKSA1
Popis	MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 700 V 6,5A (Tc) 21,2W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-FP
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPA70R750P7SXKSA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 70µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 8.3 nC @ 400 V
Řada CoolMOS™ P7	Vgs (max) ±16V
Balení Trubice	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 306 pF @ 400 V
Stav součásti Zastaralé	Rozptylový výkon (Max) 21,2W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Průchozí otvor
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 700 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO220-FP
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 6,5A (Tc)	Pouzdro Plná výzbroj TO-220-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IPA70R750
Rds zap (max) při Id, Vgs 750mOhm při 1,4A, 10V