



R6007ENX | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | R6007ENX-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | R6007ENX |
Popis | MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM |
Standardní dodací lhůta výrobce | 18 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 600 V 7A (Tc) 40W (Tc) Průchozí otvor TO-220FM |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | R6007ENX Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 1mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 20 nC @ 10 V |
Balení Hromadné balení | Vgs (max) ±20V |
Stav součásti Aktivní | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 390 pF @ 25 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 40W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota 150°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V | Způsob montáže Průchozí otvor |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra TO-220FM |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 620mOhm při 2,4A, 10V | Základní číslo produktu |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IPAN65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | 14 | IPAN65R650CEXKSA1-ND | 41,37000 Kč | Similar |
| IXTP4N70X2M | IXYS | 24 | 238-IXTP4N70X2M-ND | 106,88000 Kč | Similar |
| TK8A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 10 | TK8A65WS5X-ND | 56,48000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 71,39000 Kč | 71,39 Kč |
| 10 | 46,46900 Kč | 464,69 Kč |
| 100 | 32,22560 Kč | 3 222,56 Kč |
| 500 | 26,13706 Kč | 13 068,53 Kč |
| 1 000 | 24,18088 Kč | 24 180,88 Kč |
| 2 000 | 22,53642 Kč | 45 072,84 Kč |
| 5 000 | 20,84052 Kč | 104 202,60 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 71,39000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 86,38190 Kč |

