Name: ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 63.767 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Popis	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 10A (Ta), 63A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8 FL
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10A (Ta), 63A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	11,3mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,9V při 36µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2300 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 100W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSDSON-8 FL
Pouzdro	8-PowerTDFN