Name: IPT017N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 165.1529 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPT017N12NM6ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPT017N12NM6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPT017N12NM6ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPT017N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPT017N12NM6ATMA1
Popis	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Standardní dodací lhůta výrobce	21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 120 V 29A (Ta), 331A (Tc) 3W (Ta), 395W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,6V při 275µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 141 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™ 6	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 11000 pF @ 60 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 3W (Ta), 395W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 120 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-HSOF-8
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 29A (Ta), 331A (Tc)	Pouzdro 8-PowerSFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 8V, 10V	Základní číslo produktu IPT017
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,7mOhm při 150A, 10V