Name: IPT026N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT026N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 141.7757 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPT026N12NM6ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPT026N12NM6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPT026N12NM6ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPT026N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPT026N12NM6ATMA1
Popis	IPT026N12NM6ATMA1
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 120 V 23A (Ta), 224A (Tc) 3W (Ta), 283W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPT026N12NM6ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 2,6mOhm při 115A, 10V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 3,6V při 169µA
Řada OptiMOS™ 6	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 88 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6500 pF @ 60 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3W (Ta), 283W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 120 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 23A (Ta), 224A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-HSOF-8-1
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 8V, 10V	Pouzdro 8-PowerSFN