Name: IPT015N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 114.8774 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPT015N10NF2SATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPT015N10NF2SATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPT015N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPT015N10NF2SATMA1
Popis	MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 35A (Ta), 315A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-10
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPT015N10NF2SATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	StrongIRFET™ 2
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	35A (Ta), 315A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,5mOhm při 150A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,8V při 267µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	242 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	11000 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,8W (Ta), 300W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HSOF-8-10
Pouzdro	8-PowerSFN