Name: IPT017N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 105.7056 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPT017N10NF2SATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPT017N10NF2SATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPT017N10NF2SATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPT017N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPT017N10NF2SATMA1
Popis	MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	8 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 33A (Ta), 294A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-10
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPT017N10NF2SATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	StrongIRFET™ 2
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	33A (Ta), 294A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,75mOhm při 150A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,8V při 216µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	195 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	9300 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,8W (Ta), 300W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HSOF-8-10
Pouzdro	8-PowerSFN
Základní číslo produktu	IPT017

Jednotková cena bez DPH:	87,36000 Kč
Jednotková cena s DPH:	105,70560 Kč

IPT017N10NF2SATMA1